YULEHYDE ASSOCIATES LTDBusiness Directories,Company Directories

Company Name: Corporate Name:	YULE-HYDE ASSOCIATES LTD
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Company News:

微流控SU-8光刻胶的紫外曝光 - 知乎
为了曝光SU-8光刻胶，必须使用波长为365nm的紫外光。曝光波长的变化可以改变光刻胶层发生交联所需要的能量，有时候，也可以通过调整曝光时间来改变光刻胶层交联反应所需要的能量。
SU-8 光刻胶曝光时间的确定_光刻曝光时间-CSDN博客
本文介绍了SU-8光刻工艺中的关键步骤：确定膜厚、曝光光强及显影时间。这些参数对于确保最终产品的质量和性能至关重要。
SU-8 光刻胶及光刻工艺
SU-8的光刻机理简述如下: 光刻胶中的光引发剂吸收光子发生了光化学反应, 生成一种强酸, 其作用是在中烘过程中作为酸催化剂促进交联反应的发生。只有曝光区域的光刻胶中才含有强酸, 而未曝光的区域则没有这种强酸的存在。
SU-8胶光刻工艺解读 - 百度文库
1 2 工艺流程 1 2 1SU-8 胶光刻工艺 1) 对衬底进行清洗，并在 200℃烘 30 分钟以上以去除表面水分子； 2) 用厚胶甩胶工艺在基片表面旋涂所需要厚度的 SU-8 胶； 3) 利用热板对 SU-8 胶进行前烘处理,在热板上缓慢冷却； 4) 在 Karl Suss MA6 紫外光刻机上进行接触式曝光；
微流控芯片透光性基底SU8曝光工艺
对SU8紫外曝光工艺产生一定的影响。图1是玻璃基底SU8光刻后部分微管道和光栅底部留� � 残留光刻胶、无法显影干净的情况。对此本文研究了影响透光性基底上SU8微流体管道紫外光刻的因素及其解决方法从而为可实现光集成微流控芯片
如何成功进行微流控SU-8光刻胶的紫外曝光？ - 电子发烧友网
为了成功紫外曝光并且根据所需要的分辨率，光刻胶掩模必须尽可能的靠近SU-8光刻胶放置，不要有任何干扰。如要这样做，可检查如下几件事。
SU8模具 PDMS芯片模具 - 顶旭微控
1）将预热后的硅片放置在桌面光刻机托盘上。 2）使用相应的掩模（掩膜）放置在硅片上进行曝光，曝光时间和强度根据SU-8光刻胶的类型和厚度进行调整。
如何成功进行微流控SU8光刻胶的紫外曝光？_时间_过程_波长
为了曝光SU-8光刻胶，必须使用波长为365nm的紫外光。曝光波长的变化可以改变光刻胶层发生交联所需要的能量，有时候，也可以通过调整曝光时间来改变光刻胶层交联反应所需要的能量。
一种利用h线激光直写机进行i线SU8系列光刻胶曝光的方法与流程
本发明通过使用h线激光直写机对i线su8系列光刻胶进行多次曝光，最终成功显影。克服了h线激光直写机光源能量太小，不足以使i线su8系列光刻胶充分曝光的缺点，缩短了科研开发周期，降低了生产成本，安全可靠。
一文了解SU-8光刻胶 - 知乎
在步骤2的光刻曝光过程中，黑色的掩膜遮挡范围之外的光刻胶被都被光刻光源照射，发生了化学性质的改变，在步骤3中表现为变成了墨绿色。