WASSON ENGINEERING TECHNOLOGIESBusiness Directories,Company Directories

Company Name: Corporate Name:	WASSON ENGINEERING TECHNOLOGIES
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Company Address:	4309 Crenshaw Blvd,LOS ANGELES,CA,USA
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USA SIC Code(Standard Industrial Classification Code):	871105
USA SIC Description:	Contractors
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Company Directories & Business Directories

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MICHEAL SIEGEL AND ASSOCIATES
JEWISH JOURNAL OF GREATER LOS ANGELES
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A.A.H. ENTERPRISES; INC
MASSAGE THERAPY CTR INC
WESTERN CAPITAL RESOURCES

Company News:

英特尔，台积电，三星主要制程密度汇总 - 汜水渟 - 博客园
intel 32nm 7 5 百万平方毫米 (Mos) intel 22nm 15 3 intel 14nm 37 5 intel 14++ 44 7 intel 10nm 100 8 intel 7nm 180 (intel4) intel 5nm 220 (intel3)
中秋特辑：工艺数据库 22. 09. 10版 - 知乎专栏
值此佳节，特更新一版工艺数据库，主要的更新点包含（VX里直接回复“工艺密度”得到大图）：台积电N5节点的密度进行了下修，我根据某数据源进行了修正，N5我标定为154 9，这个数值是低于原来接近180的数据的，但…
半导体制程比拼：英特尔3nm吊打三星台积电 - OFweek
近日，Digitimes发布的一份研究报告中，详细分析了台积电、三星、Intel及IBM四家厂商在相同命名的半导体制程工艺节点上的晶体管密度问题，并对比
英特尔3nm晶体管密度曝光：超越台积电2nm，碾压IBM 2nm
近日Digitimes发布的研究报告，也分析了台积电、三星、Intel及IBM四家厂商在相同命名的半导体制程工艺节点上的晶体管密度问题，并对比了各家在10nm
MebiuW 的想法: 最新版的工艺密度表已经更新，这次的主要变化是： lt;br gt;1. 增加Raptor Lake版本的10ESF，写为10ESF . . .
最新版的工艺密度表已经更新，这次的主要变化是： 1 增加Raptor Lake版本的10ESF，写为10ESF+，你们懂就行。 2 根据Semiwiki修正了台积电N3 N2系列，Intel 20A 18A，以及三星2nm的性能表现。 3 排序改为根据PPA的天梯榜，综合表现谁好谁坏一目了然。
各厂商的工艺制程和晶体管密度 - 2023年07月 - 行业研究数据 - 小牛行研
《各厂商的工艺制程和晶体管密度》：从工艺的角度看，半导体产业遵循摩尔发展定律，即集成电路上可容纳的晶体管数量每 18个月就增加一倍，目前头部晶圆厂每平方毫米可容纳的晶体管数量已经过亿。
Intel、TSMC、Samsung各制程晶体管密度对比_行行查_行业研究数据库
行行查为用户提供海量行业研究数据和报告：Intel、TSMC、Samsung各制程晶体管密度对比 ,包含行业数据先进制造,半导体等相关数据，本数据编号为 253106,搜索行业数据和行业报告就来行行查 (www hanghangcha com)。
芯片制程晶体管密度表 - 百度文库
晶体管密度表通常以制程技术和晶体管密度为主要信息。制程技术包括不同代数的CMOS（互补金属氧化物半导体）制程，如0 18um、0 13um、90nm、65nm、45nm、32nm等。
半导小芯-芯片查询工具_芯片替代查询_数据手册查询_规格书查询_datasheet查询_IC查询_国产替代
半导小芯专注于国外和国产芯片资料查询，都在用的芯片查询工具，为您提供规格书查询，数据手册查询，datasheet查询，IC查询，替代型号查询，国产替代等相关信息，帮您快速找到数据手册、数据表、规格书、datasheet、替代型号、联系方式、技术参数、参数
从28nm到3nm，全球半导体工艺路线图全解读_新闻动态_企业定制货仓 | 电子料库存平台 | 芯兹电子
根据三星规划，到2020年底，V1产线的总投入将达60亿美元，7nm及更先进制程的总产能将是2019年的3倍。 6nm 6nm是7nm与5nm之间的过渡制程工艺。台积电于2019年4月推出了6nm制程（N6），设计方法与7nm工艺完全兼容，随着EUV技术的进一步应用，N6的逻辑密度将比N7提高18%。