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 Company Directories & Business Directories

LASLETT BLUE & ASSOC INC

TIMONIUM-USA

Company Name:
Corporate Name: 		LASLETT BLUE & ASSOC INC
Company Title: LBA Healthplans ~ A powerful link between healthcare and you. 
Company Description:  
Keywords to Search:  
Company Address: 9475 Deereco Rd # 408,TIMONIUM,MD,USA 
ZIP Code:
Postal Code: 		21093-2124 
Telephone Number: 4104536142 (+1-410-453-6142) 
Fax Number: 4104536135 (+1-410-453-6135) 
Website:
 www. lbax. com 
Email:
  
USA SIC Code(Standard Industrial Classification Code):
 641112 
USA SIC Description:
 Insurance 
Number of Employees:
  
Sales Amount:
  
Credit History:
Credit Report: 		 
Contact Person:
  
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SELF STORAGE PLUS
CHASON SERVICE ENGINEERS INC
STONE MILL BAKERY
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RE/MAX ACCLAIMED
MICHAEL SHERLOCK MD
MARYLAND ATHLETIC CLUB









Company News:
  • 立ち上がり／立ち下がり時間 - エヌエフ回路設計ブロック
    アンプなどの立ち上がり時間 t r は、パルス信号を入力して出力波形から算出することができる。 アンプなどの立ち上がり時間と周波数帯域幅は、一般に次の式で関係付けられます。 例えば、周波数帯域幅1MHzのアンプの立ち上がり時間は概ね0 35μsとなります。 この式は、オシロスコープで観測した方形波応答波形から、アンプの周波数帯域幅を推測するのにはとても便利です。 この関係式の値は、1次のLPFのステップ応答であるイクスポネンシャルカーブの式から簡単に求めることができます。 周波数帯域幅100MHzのオシロスコープの最速立ち上がり時間もこの式から3 5nsと求まります（オシロスコープの応答は1次のLPFとは異なりますが、実用上は十分近い値です）。
  • MOSFET 電気的特性（動的特性）について tr ton tf toff | 東芝 . . .
    パワーMOSFET が多数キャリアデバイスであることによる顕著な特性は、バイポーラートランジスターに比べて、高速動作に優れており、高周波のスイッチング動作ができることです。 スイッチング時間測定回路と入出力波形を下図に示します。 ゲート・ソース電圧が設定電圧の10%に達してから、ドレイン・ソース間電圧が設定電圧の90%まで下降するまでのゲート・ソース間電圧に対するドレイン・ソース間の遅延時間です。 ドレイン・ソース間電圧が設定値の 90%から 10%まで下降する時間です。 ターンオン時間で t d (on) + t r になります。 ターンオフ時にゲート・ソース間電圧が設定電圧の90%に達してから、ドレイン・ソース間電圧が設定電圧の10%まで上昇する時間です。
  • MOSFETとは－スイッチング特性とその温度特性 | トランジスタと . . .
    MOSFETのスイッチング特性は、一般的に、ターンオン遅延時間：T d (on） 、上昇時間：t r 、ターンオフ遅延時間：T d (off） 、下降時間：t f が提示されていることが多いと思います。 以下は、低オン抵抗と高速スイッチングを特長とするNch 600V 4AのMOSFET R6004KNXのデータシートからの抜粋です。 これらのパラメータの呼称や記号は、メーカー間で多少異なることがあるかもしれません。 例えば、ターンオン（オフ）遅延時間をターンオン（オフ）ディレイタイム、上昇（下降）時間を立ち上がり（立ち下がり）時間やライズ（フォール）タイムなどです。 これらのスイッチングに関するパラメータは、測定回路の信号源インピーダンスとドレイン負荷抵抗R L に大きく影響されます。
  • スイッチ素子の発熱量を予測、MOSFETのスイッチング損失算出 . . .
    ・tr,tf(Ploss(t1､t3))で発生する損失の割合が増大 となり、効率が低下する可能性があります。 また、Ronとtr,tfはトレードオフの関係にあり、Ronが小さいMOSFETはtr,tfが大きくなる傾向にあります。
  • スイッチング特性 - SCALE HELP CENTER
    SCALEにおける Tr は、 ターンオン時において正味のドレイン電流が0 (0%)からオン電流 (100%)になるまでの時間 と定義しています。 ここで、正味のドレイン電流とは、出力容量Cossおよびボディダイオードの電流を含まないドレイン電流を意味します。 Tf は ターンオフ時において正味のドレイン電流がオン電流 (100%)から0 (0%)になるまでの時間 と定義しています。 SCALEの Tr 、 Tf にデータシートや実測値を利用する場合、以下の点に注意が必要です。 一般的にメーカーのデータシートの Tr 、 Tf は、ドレイン・ソース電圧で定義されています。
  • パワーMOSFET 技術資料
    %まで低下した時間。 ターンオフ遅延時間:td(off) VGS が90%まで低下した時間を起点にVDS が1 して定義されます。 なお、ゲートチャージ特性は3つのパラ� ト� ャージ測定回路 定されていました。 しかしながら、昨今の製品では微細化等によってMOSFETにも電流集中による二次降伏に相当する第5の領域が存在するようになり、現在では右図のように5つの領域に分けられることのほうが多く、この領域内且つ適切な各種ディレーティング(サージ等を含めた電圧 電流 電力 接合温度)を取ることで安全に動作させら
  • Tr Tfの測定 - クラウドテスティングサービス(CloudTesting™ Service)
    IC等のデバイスの重要な特性として、パルスの立ち上がり時間（Tr）と立ち下がり時間（Tf）があります。 本ドキュメントは、CloudTesting™ Serviceを利用したTr Tfの測定方法について解説します。
  • 第5章 CMOS論理回路の性能と設計法
    入力信号入力信号ののtr , tfがが小小さいさい程程小小さいさい 通常のCMO-SLSI で支配的 CLK="0": pMOS がONしてプリチャージする 出力は"1"となる CLK ="1" : nMOS がON して,A , B ともに"1" の時には電荷を放電 出力は"0"になる A,Bともに"1" でない場合は放電しないので, 出力は"1"を保持する スタティックCMOS論理に比べて素子数を削減できる チップ面積を小さくでき,集積密度を高くできる クロックによって毎回プリチャージするので消費電力は大きい 寄生容量の電荷で情報を保持しているので,リクリーク電流電流でで情報情報がが壊壊れるれる動作周波数に下限がある
  • MOSFETの特性 | トランジスタとは？ | エレクトロニクス豆知識 . . .
    MOSFETのG（ゲート）端子と他の電極間は酸化膜で絶縁されており、DS（ドレイン・ソース）間にはPN接合が形成されており、ダイオードが内蔵された構造になっています。 C gs, C gd は酸化膜の静電容量により、C ds は内蔵ダイオードの接合容量により容量が決まります。 一般的にMOSFETの仕様書に記載されているのは表1にあるC iss C oss C rss の三種類です。 容量特性は図2に示すようにDS (ドレイン・ソース) 間電圧V DS に対する依存性があります。 V DS を大きくすると容量値は小さくなる傾向があります。 実測例を図3 (1)～ (3)に示します。 容量特性の温度依存性についてはほとんど差はありません。
  • 入力信号の立上り／立下り時間（tr, tf） | Renesas Customer Hub
    tr tfが大きくなる（スローな入力になる）ほど、入力初段回路にてVccからVssの経路に流れる「貫通電流」が急増しリスク要因となります。このほか、CMOS-IC共通の不具合要因である「スロー入力」は、SRAM内部回路で発振等の誤




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