EGLISE DE JESUSCHRIST DES STSBusiness Directories,Company Directories

Company Name: Corporate Name:	EGLISE DE JESUS-CHRIST DES STS
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Company Directories & Business Directories

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Company News:

zynq7系列DDR3的PCB走线阻抗与端接电阻问题 - CSDN博客
zynq7系列DDR3的PCB走线阻抗与端接电阻问题 zynq7020仅PS带有DDR端口，兼容DDR2到DDR3协议，PCB设计主要参考ug933手册。本文主要讨论其走线阻抗与端接电阻问题。 1 官方推荐电压-1 5V 1 35V DDR3和DDR3L都同时支持1 5V和1 35V的I O电压。 ············· ···········
深入解析 DDR 技术及其排线排阻的功能与作用 - 智友网络
排阻的功能排阻作为排线要害部件，主要用于匹配信号源与负载阻抗，以降低信号反射和干扰。排阻的选型与布置对系统效能影响重大。合理配置排阻可确保信号稳定传输，降低数据错误及系统故障风险。
PCB设计笔记(二)——DDR3的布局布线设计 - CSDN博客
中间有排阻时，DDR相对于中心距离：800~1000mil; 中间无排阻时，DDR相对于中心距离：600~800mil 要合理的规划走线布局结构，按照前言所说的，两片DDR最少需要三个走线层，假设是一个6层板，三个走线层，以走T点结构为例：
[转]DDR布线规则与过程 - 吴川斌的博客
对于ddr3，地址线的等长往往需要过孔来配合，具体的规则均绑定在过孔上和vtt端接电阻上，如下图。可以看到，CPU的地址线到达过孔的距离等长，过孔到达VTT端接电阻的距离也等长。
DDR3 SDRAM-PCB技术规范 - 知乎 - 知乎专栏
1、 DDR3 颗粒之间的间距根据实际情况调整，建议DDR3丝印框间距2~3mm为宜。 2、DDR3一般采用“Fly-By”拓扑结构，数据位端靠近控制器摆放。并且按数据线按照低位到高位（高位到低位）依次排列。 3、终端电阻放置在最后一片数据高位的末端，并且位置控制在
DDR3 的相关设计规范(个人总结) - CSDN博客
DDR3 要严格控制阻抗，单线 50ohm，差分 100ohm，差分一般为时钟、DQS。在走线过程中，尽量减小阻抗跳变的因素，比如:换层(无法避免)、保证参考平面完整不跨分割、线宽变化、避免 stub线等。
ddr3笔记本内存维修 - 知乎 - 知乎专栏
找了废料板，四次也没发现这么小阻值的排阻，甚至连个大小接近普通贴片电阻也没找到，由于不知道换大的贴片然后再飞线有没有问题（毕竟频率不低），只好找到了一个micro dimm的内存拆了一个，这个内存是地摊捡的，还没测试，不过排阻是好的
高斐龙-常用存储器设计-4片DDR3的PCB设计作业-（菊花链）Altium弟子计划作业（开班中）PCB联盟网 - Powered by . . .
3、DDR相对距离，当中间无排阻时:600-800mil当中间有排阻时:800-1000mil 4、数据线串接电阻-1一般放在DDR与控制器中间，并联电阻靠近串接电阻放置，可放于其背面，具体位置可由仿真决定。
两片DDR3的PCB设计作业-冯凯Altium弟子计划作业（开班中）PCB联盟网 - Powered by Discuz!
两片DDR布局时按照T点结构布局，走线从中间向两端发散，保证到DDR的线长度一致。当两个器件中间无排阻是，摆放间距在600-800mil，有排阻时间距在800-1000mil，滤波电容靠近IC管脚摆放，走线阻抗控制在50om，数据线每11根尽量走在同一层D0-D7,LDQM和一对差分线等。
ddr的地址线数据线的串联电阻分别靠近cpu还是靠近ddr?_ddr4与cpu之间串电阻-CSDN博客
zynq7系列DDR3的PCB走线阻抗与端接电阻问题 zynq7020仅PS带有DDR端口，兼容DDR2到DDR3协议，PCB设计主要参考ug933手册。本文主要讨论其走线阻抗与端接电阻问题。 1 官方推荐电压-1 5V 1 35V DDR3和DDR3L都同时支持1 5V和1 35V的I O电压。 ············· ············ 2