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- 碳化硅（SiC)芯片，指的是晶圆的沉底材料么？ - 知乎
SiC晶圆的晶型 硅化碳（Silicon Carbide，SiC）晶圆通常是单晶的，但是这些单晶SiC晶圆可能由不同的多晶形体构成，SiC的多晶形体包括3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC等，每种多晶形都有自己独特的性质。
- 知乎盐选 | 3. 1 SiC 半导体材料的基本性质
SiC 独特的性质与其结构密切相关，为此首先需要了解 SiC 的结构。 SiC 有超过 200 多种多型结构，最普通的是立方 3C，六角 4H 和 6H，菱方 15R。 这些多型结构以 Si-C 双原子为结构的基本单元，采用不同的堆垛方式排列而成，如图 3-1 所示 [1，2]。
- 关于半导体碳化硅（Sic）外延工艺技术的详解； - 知乎
一、碳化硅（Sic）外延的基本介绍 1、基本概念 在半导体制造领域，“外延” 指的是在单晶衬底上生长一层与衬底具有相同晶体结构的单晶薄膜的过程。 碳化硅外延就是以碳化硅（SiC）单晶片为衬底，通过特定的工艺方法，在其表面生长出一层高质量的碳化硅
- 碳化硅（SiC)的优势是什么，能给电动汽车带有 . . . - 知乎
最后SiC还有一个重要的优势，就是非常适合高压的应用。 我们看到一些主流车厂已经把车的电池电压提高到了800V，以后的高压直流充电桩里面也是用的高压，在这些高压的应用里，以后SiC，特别是高压的1200V的碳化硅比硅会更有优势。
- SiC 和 IGBT 分别有什么特点？ - 知乎
SiC MOSFET，氧化层（SiO₂）在阻断模式下的稳定性较差，因为SiO₂需要承受更高的电场强度，从而引发局部击穿或缺陷。 也就是说， 在Si功率器件中，随着电场强度的提升，最先击穿的，一般是Si材料，而不是SiO₂。 因此不需要额外关注SiO₂的稳定性。
- 知乎盐选 | 3. 2 SiC 半导体材料的制备技术
3 2 SiC 半导体材料的制备技术 3 2 SiC 半导体材料的制备技术 目前商用 SiC 单晶基本上都采用升华法生长，其主要原因是使用这种生长方法，单晶生长具有合适的生长速率，这对单晶的规模化生产非常重要。
- 半导体碳化硅 (SIC)MOSFET 特性的详解；
在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。 1200V功率等级下，各类功率器件的特性比较结果，参与比较的SiC MOSFET是GE12N15L。
- 知乎盐选 | 7. 1 SiC 半导体
7 1 SiC 半导体 SiC 是最早被发现的半导体之一，由于它的带隙宽、电子迁移率高及电子饱和速度高、热导率高及机械强度大、抗辐射等方面的优良性能，使得它在高电压、高温和高功率应用方面有很大的吸引力。但是欧姆接触和高电压肖特基接触与 pn 结仍是必须解决的问题，尽管它是间接带隙半导体
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