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- 知乎盐选 | 3. 1 SiC 半导体材料的基本性质
SiC 独特的性质与其结构密切相关，为此首先需要了解 SiC 的结构。 SiC 有超过 200 多种多型结构，最普通的是立方 3C，六角 4H 和 6H，菱方 15R。 这些多型结构以 Si-C 双原子为结构的基本单元，采用不同的堆垛方式排列而成，如图 3-1 所示 [1，2]。
- 碳化硅（SiC)的优势是什么，能给电动汽车带有 . . . - 知乎
最后SiC还有一个重要的优势，就是非常适合高压的应用。 我们看到一些主流车厂已经把车的电池电压提高到了800V，以后的高压直流充电桩里面也是用的高压，在这些高压的应用里，以后SiC，特别是高压的1200V的碳化硅比硅会更有优势。
- SiC 和 IGBT 分别有什么特点？ - 知乎
例外SiC的产能也非常有限，国外也是刚开始大规模进行6英寸SiC晶圆的投产，未来的主要应用还是IGBT功率器件。 IGBT功率器件主要测试参数
- 为什么不用sic做igbt? - 知乎
SiC SBD上采用金属块直接压力接触方法的初步尝试。 使用专门设计的1 6kV SiC-SIJFET。 这种方法在SiC MOSFET上是否可行需要进一步研究另一个问题是，为了充分利用SiC MOSFET的快速开关特性，开关电路中的寄生电感应该最小化。
- 碳化硅（SiC)芯片，指的是晶圆的沉底材料么？ - 知乎
SiC晶圆的晶型 硅化碳（Silicon Carbide，SiC）晶圆通常是单晶的，但是这些单晶SiC晶圆可能由不同的多晶形体构成，SiC的多晶形体包括3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC等，每种多晶形都有自己独特的性质。
- 功率sic mosfet测试BV后三通，击穿点位于终端主结边缘，可能是什么原因？ - 知乎
功率sic mosfet测试BV后三通，击穿点位于终端主结边缘，可能是什么原因？ sic 平面型mosfet器件加电压偏置测试漏电时漏电为nA级，htrb前后参数差异很小，参数无任何异常， 但加电流偏置200uA测试耐压后，器件三通… 显示全部 关注者 15
- 为什么要用4H-SiC？ - 知乎
SiC单晶差不多有200种同分异构体，其中最常见的有3C, 4H, 6H结构，每种结构都有自己适合的应用领域，不存在哪种更受关注。 题主想说的是在大功率器件领域4H SiC比较受关注吧。 这是因为，实际生产中，3C-SiC并不稳定，在高于1900-2000℃高温下会转变为六方SiC多型
- 关于半导体碳化硅（Sic）外延工艺技术的详解； - 知乎
一、碳化硅（Sic）外延的基本介绍 1、基本概念 在半导体制造领域，“外延” 指的是在单晶衬底上生长一层与衬底具有相同晶体结构的单晶薄膜的过程。 碳化硅外延就是以碳化硅（SiC）单晶片为衬底，通过特定的工艺方法，在其表面生长出一层高质量的碳化硅
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