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- SiC 和 IGBT 分别有什么特点？ - 知乎
但是目前限制SiC应用主要是两方面，一是价格，其价格是传统Si型IGBT的7倍；其次是电磁干扰； SiC的开关频率远高于传统Si型IGBT，电路回路寄生参数已经大到无法忽略，需要额外注意EMI问题。
- 新手必看：SCI、JCR分区、中科院SCI分区都是什么？该如何查询期刊在哪个分区？ - 知乎
SCI是科学引文索引，被它收录的期刊，被称为SCI期刊，在期刊领域，具有很高的地位。 JCR分区，包括SCI、SSCI、AHCI、ESCI期刊，但目前只有SCI、SSCI才有分区，也是 WOS分区，通常称为Q1、Q2、Q3、Q4，算是国外的一种分区标准。 中科院SCI分区，是 中国科学院文献情报中心 期刊分区表中SCI期刊的分区
- 碳化硅（SiC)的优势是什么，能给电动汽车带有 . . . - 知乎
最后SiC还有一个重要的优势，就是非常适合高压的应用。 我们看到一些主流车厂已经把车的电池电压提高到了800V，以后的高压直流充电桩里面也是用的高压，在这些高压的应用里，以后SiC，特别是高压的1200V的碳化硅比硅会更有优势。
- 知乎盐选 | 3. 1 SiC 半导体材料的基本性质
3 1 SiC 半导体材料的基本性质 3 1 1 SiC 的晶体结构 SiC 具有优良的机械、热学、电学、物理和化学性质，是制备下一代电力电子和光电子器件的新型半导体材料之一。SiC 独特的性质与其结构密切相关，为此首先需要了解 SiC 的结构。 SiC 有超过 200 多种多型结构，最普通的是立方 3C，六角 4H 和 6H，菱方
- 碳化硅（SiC)芯片，指的是晶圆的沉底材料么？ - 知乎
SiC晶圆的晶型 硅化碳（Silicon Carbide，SiC）晶圆通常是单晶的，但是这些单晶SiC晶圆可能由不同的多晶形体构成，SiC的多晶形体包括3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC等，每种多晶形都有自己独特的性质。
- 功率sic mosfet测试BV后三通，击穿点位于终端主结边缘，可能是什么原因？ - 知乎
功率sic mosfet测试BV后三通，击穿点位于终端主结边缘，可能是什么原因？ sic 平面型mosfet器件加电压偏置测试漏电时漏电为nA级，htrb前后参数差异很小，参数无任何异常， 但加电流偏置200uA测试耐压后，器件三通… 显示全部 关注者 14
- 关于半导体碳化硅（Sic）外延工艺技术的详解； - 知乎
1、基本概念 在半导体制造领域，“外延” 指的是在单晶衬底上生长一层与衬底具有相同晶体结构的单晶薄膜的过程。碳化硅外延就是以碳化硅（SiC）单晶片为衬底，通过特定的工艺方法，在其表面生长出一层高质量的碳化硅薄膜。这层外延层具有与衬底不同的物理、化学或电学特性，可用于制造
- 一文读懂硅基负极材料 - 知乎
二、硅基负极潜力巨大，产业化应用逐步成熟 特斯拉 2020 年发布的 4680 电池采用硅基负极，能量密度达到 300Wh kg。目前用户对能量密度需求越来越高，在石墨负极逐渐难以满足更高能量需求情况下，使用其他负极成为一种选择， 4680 电池作为特斯拉追求高能量密度的一种设计方案， 使用硅基负极
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