|
- SiC 和 IGBT 分别有什么特点? - 知乎
但是目前限制SiC应用主要是两方面,一是价格,其价格是传统Si型IGBT的7倍;其次是电磁干扰; SiC的开关频率远高于传统Si型IGBT,电路回路寄生参数已经大到无法忽略,需要额外注意EMI问题。
- 碳化硅(SiC)的优势是什么,能给电动汽车带有 . . . - 知乎
最后SiC还有一个重要的优势,就是非常适合高压的应用。 我们看到一些主流车厂已经把车的电池电压提高到了800V,以后的高压直流充电桩里面也是用的高压,在这些高压的应用里,以后SiC,特别是高压的1200V的碳化硅比硅会更有优势。
- 知乎盐选 | 3. 1 SiC 半导体材料的基本性质
3 1 SiC 半导体材料的基本性质 3 1 1 SiC 的晶体结构 SiC 具有优良的机械、热学、电学、物理和化学性质,是制备下一代电力电子和光电子器件的新型半导体材料之一。SiC 独特的性质与其结构密切相关,为此首先需要了解 SiC 的结构。 SiC 有超过 200 多种多型结构,最普通的是立方 3C,六角 4H 和 6H,菱方
- 为什么要用4H-SiC? - 知乎
SiC有大约250种晶体类型,而常见的有3C、4H、6H。 但发现大家最关注的是4H-SiC,关于它们之间的电学性质有什么差异(尤其在电阻率方面)?
- 功率sic mosfet测试BV后三通,击穿点位于终端主结边缘,可能是什么原因? - 知乎
功率sic mosfet测试BV后三通,击穿点位于终端主结边缘,可能是什么原因? sic 平面型mosfet器件加电压偏置测试漏电时漏电为nA级,htrb前后参数差异很小,参数无任何异常, 但加电流偏置200uA测试耐压后,器件三通… 显示全部 关注者 14
- 碳化硅SiC器件目前主要有哪些品牌在做? - 知乎
SiC晶圆产能:本土加速 根据《2022碳化硅(SiC)产业调研白皮书》,2022年国外有30个碳化硅相关项目扩产或投产,总投资金额超过800亿人民币,新增衬底产能超过250万片。 2023年以来,海外大厂持续加大与上下游合作伙伴在衬底材料、外延片、器件供应等方面的
- 碳化硅(SiC)芯片,指的是晶圆的沉底材料么? - 知乎
SiC晶圆的晶型 硅化碳(Silicon Carbide,SiC)晶圆通常是单晶的,但是这些单晶SiC晶圆可能由不同的多晶形体构成,SiC的多晶形体包括3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC等,每种多晶形都有自己独特的性质。
- 新手必看:SCI、JCR分区、中科院SCI分区都是什么?该如何查询期刊在哪个分区? - 知乎
SCI是科学引文索引,被它收录的期刊,被称为SCI期刊,在期刊领域,具有很高的地位。 JCR分区,包括SCI、SSCI、AHCI、ESCI期刊,但目前只有SCI、SSCI才有分区,也是 WOS分区,通常称为Q1、Q2、Q3、Q4,算是国外的一种分区标准。 中科院SCI分区,是 中国科学院文献情报中心 期刊分区表中SCI期刊的分区
|
|
|